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什么是IGBT技术
发表时间:2013-8-22     阅读次数:1693   [关闭窗口]

    IGBT即绝缘栅型双极性晶体管。它具有优越的低饱和压降,较高的电压和较大的电流输出等特点,在功率电子相关产业得到更为广泛的应用和关注。为了使IGBT在大功率系统发挥更稳定和安全的性能,需要为其设计专门的驱动器。
保管时的注意事项
   一般保存IGBT模块的场所,应保持常温常湿状态,不应偏离太大。须注意不要在IGBT模块上堆放重物; 装IGBT模块的容器,应选用不带静电的容器。
工作原理
   IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个标准双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图。
IGBT模块由于具有多种优良的特性,使它得到了快速的发展和普及,已应用到电力电子的各方各面。因此熟悉IGBT模块性能,了解选择及使用时的注意事项对实际中的应用是十分必要的。

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